簡要描述:無限單模光纖:這些光纖表現(xiàn)出無休止的單模行為,并且沒有表現(xiàn)出高階模截止。因此,它們非常適合在可見光及以上(從400nm到1700nm)進行出色的模式傳輸。由于其特定二氧化硅的性質(zhì),專用版本在可見光范圍內(nèi)具有較低的日曬作用。F110二氧化硅的高OH含量賦予該纖維優(yōu)異的抗輻射和抗高功率可見光的傳輸性能。因此,這種光纖非常適合在可見光范圍內(nèi)進行出色的模式傳輸。
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無限單模光纖:這些光纖表現(xiàn)出無休止的單模行為,并且沒有表現(xiàn)出高階模截止。因此,它們非常適合在可見光及以上(從400nm到1700nm)進行出色的模式傳輸。
由于其特定二氧化硅的性質(zhì),專用版本在可見光范圍內(nèi)具有較低的日曬作用。F110二氧化硅的高OH含量賦予該纖維優(yōu)異的抗輻射和抗高功率可見光的傳輸性能。因此,這種光纖非常適合在可見光范圍內(nèi)進行出色的模式傳輸。
無限單模光纖關(guān)鍵特征
l整個波長范圍內(nèi)的單模
l標(biāo)準PM版本
l可見光級二氧化硅版本可用-VIS
應(yīng)用覆蓋
l單模光傳輸
技術(shù)數(shù)據(jù)
主要規(guī)格
產(chǎn)品名稱 | 光纖纖芯直徑(μm) | 包層直徑 (μm) | 涂層直徑 (μm) | NA | 背景損耗@ 532 nm (dB/km) | 背景損耗@ 1060 nm (dB/km) | 模場直徑 |
IXF-ESM-5-125 | 5 ± 0.3 | 125 ± 2 | 245 ± 10 | 0.20 ± 0.02* | < 50 | < 20 | 4.6 ± 0.3* |
IXF-ESM-5-125-PM | 5 ± 0.3 | 125 ± 3 | 240 ± 10 | 0.20 ± 0.02* | < 38 | < 20 | 4.5 ± 0.3* |
IXF-ESM-10-125 | 10 ± 0.6 | 125 ± 5 | 250 ± 10 | 0.1 ± 0.02* | < 40 | < 12 | 8.8 ± 0.4* |
IXF-ESM-10-255-PM | 10 ± 0.6 | 225 ± 5 | 355 ± 10 | 0.1 ± 0.02* | < 38 | < 15 | 8.7 ± 0.4* |
IXF-ESM-10-255-VIS | 10.5 ± 0.5 | 126 ± 3 | 248 ± 5 | 0.11 ± 0.01** | < 35 | < 20 | 7 ± 0.5** |
*在1064 nm下測量
**在780 nm下測得
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